Enhancements of electrical properties and positive bias instability in self-aligned top-gate a-IGZO TFTs by hydrogen incorporation

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标题	Enhancements of electrical properties and positive bias instability in self-aligned top-gate a-IGZO TFTs by hydrogen incorporation 掺氢增强自对准顶栅a-IGZO薄膜晶体管的电学性能和正偏压不稳定性相关领域不稳定性材料科学氢光电子学化学物理机械有机化学
网址	https://doi.org/10.1088/1361-6641/ad3110
DOI	10.1088/1361-6641/ad3110 doi
其它	期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yuan-Ming Liu; Jih-Chao Chiu; Yu-Ciao Chen; Yu-Cheng Fan; Rongwei Ma; et al 出版日期：2024-03-07
求助人	科研小菜鸡在 2024-09-20 13:10:06 发布自江苏，悬赏 10 积分
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