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标题
Optimization of JFET region for 1.2kV SiC HEXFETs with 3D TCAD Simulations
用三维TCAD模拟优化1.2 kV SiC HexFET的JFET区
相关领域
JFET公司 计算机科学 光电子学 材料科学 电子工程 电气工程 工程类 场效应晶体管 晶体管 电压
网址
https://doi.org/10.1109/wipda62103.2024.10773373
DOI
10.1109/wipda62103.2024.10773373 doi
其它 期刊：
作者：Skylar deBoer; Seung Yup Jang; Adam J. Morgan; Woongje Sung
出版日期：2024-11-04
求助人
fino 在 2025-02-11 08:53:37 发布自北京，悬赏 10 积分
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