标题 |
Enhancing the Hole Injection in AlGaN-Based Deep Ultraviolet Light-Emitting Diodes With Engineered p-AlGaN Hole Supplier Layer
利用工程p-AlGaN空穴供应层增强AlGaN基深紫外发光二极管中的空穴注入
相关领域
光电子学
材料科学
图层(电子)
紫外线
发光二极管
二极管
宽禁带半导体
纳米技术
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices 作者:Ying Qi; Wentao Tian; Mengran Liu; Shuti Li; Chao Liu 出版日期:2024-03-29 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|