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 Ultralow power switching in a silicon-rich SiNy/SiNx double-layer resistive memory device 富硅SiNy/SiNx双层电阻存储器件中的超低功耗开关
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期刊：Physical Chemistry Chemical Physics 作者：Sungjun Kim; Yao‐Feng Chang; Min‐Hwi Kim; Suhyun Bang; Tae‐Hyeon Kim; et al 出版日期：2017-01-01 |
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