标题 |
Analytical Drain Current Model for Amorphous InGaZnO Thin-Film Transistors at Different Temperatures Considering Both Deep and Tail Trap States
考虑深阱态和尾阱态的非晶InGaZnO薄膜晶体管在不同温度下的漏电流解析模型
相关领域
薄膜晶体管
存水弯(水管)
电流(流体)
无定形固体
光电子学
材料科学
晶体管
工程物理
电气工程
电子工程
纳米技术
物理
工程类
化学
电压
结晶学
气象学
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Hongyu He; Yuan Liu; Bo Yan; Xinnan Lin; Xueren Zheng; et al 出版日期:2017-09-01 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|