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 Low etching damage surface obtained by a mixed etching method and the influence of surface states on the C–V characteristics of AlGaN/GaN Schottky barrier diodes 混合刻蚀法获得的低刻蚀损伤表面及表面态对AlGaN/GaN肖特基势垒二极管C-V特性的影响
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期刊：Materials Science in Semiconductor Processing 作者：Chuan Cheng; Yuan Ren; Chengguo Li; Bin Dong; Chang‐An Wang; et al 出版日期：2022-04-18 |
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