Review and analysis of SiC MOSFETs’ ruggedness and reliability

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标题	[高分] Review and analysis of SiC MOSFETs’ ruggedness and reliability SiC MOSFETs的坚固性和可靠性评析相关领域可靠性（半导体）碳化硅材料科学压力（语言学） MOSFET 降级（电信）晶体管光电子学功率半导体器件工程物理栅氧化层电气工程功率（物理）工程类电压复合材料量子力学物理哲学语言学
网址	https://doi.org/10.1049/iet-pel.2019.0587
DOI	10.1049/iet-pel.2019.0587 doi
其它	期刊：Iet Power Electronics 作者：Daming Wang; Xi Jiang 出版日期：2020-02-01
求助人	fly 在 2023-10-04 18:23:30 发布自甘肃，悬赏 100 积分
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