High-temperature-reverse-bias testing of power VDMOS transistors

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标题	High-temperature-reverse-bias testing of power VDMOS transistors 功率VDMOS晶体管的高温反向偏压测试相关领域电迁移可靠性（半导体）材料科学反向偏压晶体管光电子学功率（物理）焊接功率半导体器件电气工程功率MOSFET 栅氧化层可靠性工程电子工程 MOSFET 工程类复合材料物理电压量子力学二极管
网址	https://doi.org/10.1016/s0026-2714(97)00155-8
DOI	10.1016/s0026-2714(97)00155-8 doi
其它	期刊：Microelectronics Reliability 作者：N. Tošić; B. Peśić; N. Stojadinović 出版日期：1997-10-01
求助人	阳佟嫣娆在 2024-08-16 08:59:22 发布，悬赏 10 积分
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