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 Thermal strain relaxation of GaAs overgrown on nanovoid based Ge/Si substrate GaAs在纳米孔洞基Ge/Si衬底上的热应变弛豫
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期刊：Journal of crystal growth 作者：Jonathan Henriques; Bouraoui Ilahi; Alexandre Heintz; Denis Morris; Richard Arès; et al 出版日期：2023-12-01 |
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