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 Influence of etching AlN buffer layer on the surface roughening of N-polar n-GaN grown on Si substrate 蚀刻AlN缓冲层对生长在Si衬底上的n极性n-GaN表面粗糙度的影响
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期刊：Acta Physica Sinica 作者：Guangxu Wang; Peng Chen; Junlin Liu; Xiaoming Wu; Chunlan Mo; et al 出版日期：2016-01-01 |
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