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标题
Characterization of Trapping Effects Related to Carbon Doping Level in AlGaN Back-Barriers for AlGaN/GaN HEMTs
AlGaN/GaN HEMTs中与碳掺杂水平相关的俘获效应的表征
相关领域
材料科学 光电子学 兴奋剂 表征（材料科学） 俘获 宽禁带半导体 高电子迁移率晶体管 电气工程 晶体管 纳米技术 电压 工程类 生态学 生物
网址
https://doi.org/10.1109/ted.2024.3392177
DOI
10.1109/ted.2024.3392177 doi
其它 期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
作者：Ragnar Ferrand-Drake Del Castillo; Ding-Yuan Chen; Jr‐Tai Chen; Mattias Thorsell; Vanya Darakchieva; et al
出版日期：2024-05-03
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紧张的怜寒 在 2025-01-07 17:22:06 发布自广东，悬赏 10 积分
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