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Strain relaxation in high-speed p-i-n photodetectors with In0.2Ga0.8As/GaAs multiple quantum wells
In0.2Ga 0.8 As/GaAs多量子阱高速p-i-n光电探测器中的应变弛豫
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期刊:Applied Physics Letters 作者:G. Bender; E.C. Larkins; H. Schneider; J.D. Ralston; P. Koidl 出版日期:1993-11-22 |
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