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Edge Doping in Graphene Devices on SiO2 Substrates
SiO2基片上石墨烯器件中的边缘掺杂
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期刊:Semiconductors 作者:G. Yu. Vasilyeva; Д. Смирнов; Yu. B. Vasilyev; A. A. Greshnov; R. J. Haug 出版日期:2019-12-01 |
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