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Ultrathin Al2O3 Interfacial Layer for Hf0.5Zr0.5O2-Based Ferroelectric Field-Effect Transistors
用于Hf0.5Zr 0.5 O2基铁电场效应晶体管的超薄Al2O3界面层
相关领域
材料科学
电介质
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光电子学
铁电性
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期刊:Journal of Physics D 作者:Jehoon Lee; Deokjoon Eom; Heesoo Lee; Woohui Lee; Joo-Hee Oh; et al 出版日期:2023-12-22 |
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