Domain Switching Characteristics in Ga-Doped HfO2 Ferroelectric Thin Films with Low Coercive Field

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标题	Domain Switching Characteristics in Ga-Doped HfO2 Ferroelectric Thin Films with Low Coercive Field 低矫顽场掺杂Ga的HfO2铁电薄膜的畴开关特性相关领域铁电性成核材料科学矫顽力兴奋剂掺杂剂电介质镓薄膜电场凝聚态物理光电子学纳米技术化学物理有机化学量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1021/acs.nanolett.4c00263
DOI	10.1021/acs.nanolett.4c00263 doi
其它	期刊：Nano Letters 作者：Yuchun Li; Teng Huang; Xiaoxi Li; Xiaona Zhu; David Wei Zhang; et al 出版日期：2024-05-24
求助人	陈陈在 2024-07-08 13:48:17 发布自湖北，悬赏 10 积分
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