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标题
Impact of growth parameters on the background doping of GaN films grown by ammonia and plasma-assisted molecular beam epitaxy for high-voltage vertical power switches
生长参数对高压垂直功率开关用氨和等离子体辅助分子束外延生长GaN薄膜背景掺杂的影响
相关领域
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网址
https://aip.scitation.org/doi/pdf/10.1063/5.0060154
AI链接 scitation.org scitation.org doaj.orgdoi.org
DOI
10.1063/5.0060154 doi
其它 期刊：APL Materials
作者：Jianfeng Wang; Kelsey F. Jorgensen; Esmat Farzana; Kai Shek Qwah; Morteza Monavarian; et al
出版日期：2021-08-01
求助人
和平发展 在 2025-04-07 20:14:13 发布自湖北，悬赏 10 积分
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