In-operando x-ray topography analysis of SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations

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标题	In-operando x-ray topography analysis of SiC metal–oxide–semiconductor field-effect transistors to visualize stacking fault expansion motions dynamically during operations SiC金属氧化物半导体场效应晶体管的运行中x射线形貌分析，以动态可视化运行过程中的堆垛层错扩展运动相关领域材料科学碳化硅二极管 MOSFET 叠加断层光电子学晶体管位错半导体硅 PIN二极管电气工程电压复合材料工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0063082
DOI	10.1063/5.0063082 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Kumiko Konishi; Ryusei Fujita; Keisuke Kobayashi; Akio Yoneyama; Kotaro Ishiji; et al 出版日期：2021-10-14
求助人	NOIR4LU 在 2025-02-13 13:53:33 发布自安徽，悬赏 10 积分
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