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标题
Increase in the extraction efficiency of GaN-based light-emitting diodes via surface roughening
通过表面粗糙化提高GaN基发光二极管的提取效率
相关领域
材料科学 发光二极管 光电子学 二极管 宽禁带半导体 表面粗糙度 蚀刻（微加工） 激光器 表面光洁度 光学 纳米技术 复合材料 图层（电子） 物理
网址
https://doi.org/10.1063/1.1645992
DOI
10.1063/1.1645992 doi
其它 期刊：Applied Physics Letters
作者：Tetsuo Fujii; Yan Gao; Rajat Sharma; Evelyn L. Hu; Steven P. DenBaars; et al
出版日期：2004-02-04
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qqwrv 在 2025-01-08 11:02:01 发布自江苏，悬赏 10 积分
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