An analytic model for minority-carrier transport in heavily doped regions of silicon devices

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标题	An analytic model for minority-carrier transport in heavily doped regions of silicon devices 硅器件重掺杂区少数载流子输运的解析模型相关领域兴奋剂退化（生物学）俄歇效应螺旋钻硅带隙材料科学载流子寿命光电子学计算物理学电流密度凝聚态物理原子物理学物理量子力学生物信息学生物
网址	https://doi.org/10.1109/t-ed.1981.20478
DOI	10.1109/t-ed.1981.20478 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：J.G. Fossum; M.A. Shibib 出版日期：1981-09-01
求助人	高工在 2024-09-29 09:47:53 发布自日本，悬赏 10 积分
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