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 Enhanced Avalanche (2.1 kV, 83 A) in NiO/Ga2O3 Heterojunction by Edge Termination Optimization 边缘终端优化增强NiO/Ga2O3异质结雪崩（2.1 kV，83 A）
相关领域
非阻塞I/O
材料科学
异质结
光电子学
GSM演进的增强数据速率
化学
计算机科学
电信
生物化学
催化作用
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Hehe Gong; Feng Zhou; Ming Xiao; Zineng Yang; Fangfang Ren; et al 出版日期：2024-06-06 |
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