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Ordered Arrays of Vertically Aligned [110] Silicon Nanowires by Suppressing the Crystallographically Preferred <100> Etching Directions
通过抑制晶体学上优选的<100>蚀刻方向获得垂直排列的[110]硅纳米线的有序阵列
相关领域
蚀刻(微加工)
材料科学
薄脆饼
纳米线
基质(水族馆)
纳米技术
金属
外延
各向同性腐蚀
硅
制作
反应离子刻蚀
多孔性
干法蚀刻
光电子学
化学工程
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其它 |
期刊:Nano Letters 作者:Zhipeng Huang; Tomohiro Shimizu; Stephan Senz; Zhang Zhang; Xuanxiong Zhang; et al 出版日期:2009-05-29 |
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