A Multiscale Simulation on Aluminum Ion Implantation-Induced Defects in 4H-SiC MOSFETs

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标题	A Multiscale Simulation on Aluminum Ion Implantation-Induced Defects in 4H-SiC MOSFETs 4H-SiC MOSFET中铝离子注入缺陷的多尺度模拟相关领域材料科学兴奋剂离子注入晶体缺陷离子 MOSFET 光电子学格子（音乐）泄漏（经济）带隙分子动力学电压纳米技术凝聚态物理电气工程化学计算化学晶体管物理有机化学工程类声学经济宏观经济学
网址	https://www.mdpi.com/2079-9292/13/14/2758/pdf?version=172112...
DOI	10.3390/electronics13142758 doi
其它	期刊：Electronics 作者：Sheng Wang; H. Lan; Qiwei Shangguan; Yawei Lv; Changzhong Jiang 出版日期：2024-07-13
求助人	徐一一在 2024-10-15 11:59:18 发布自北京，悬赏 10 积分
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