Near infrared-II light-emitting devices based on Er-doped Ga2O3 films

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标题	Near infrared-II light-emitting devices based on Er-doped Ga2O3 films 基于掺铒Ga2O3薄膜的近红外-II发光器件相关领域发光二极管近红外光谱光电子学材料科学兴奋剂激发红外线的能量转移光学化学物理分子物理学量子力学
网址	https://doi.org/10.1016/j.optmat.2022.112786
DOI	10.1016/j.optmat.2022.112786 doi
其它	期刊：Optical Materials 作者：Zewei Chen; Gaofeng Deng; Katsuhiko Saito; Tooru Tanaka; Qixin Guo 出版日期：2022-08-05
求助人	khada 在 2024-12-19 20:22:23 发布自陕西，悬赏 10 积分
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