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 Vertically grown metal nanosheets integrated with atomic-layer-deposited dielectrics for transistors with subnanometre capacitance-equivalent thicknesses 用于亚纳米电容等效厚度晶体管的与原子层沉积电介质集成的垂直生长金属纳米片
相关领域
电容
材料科学
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期刊：Nature electronics 作者：NULL AUTHOR_ID; NULL AUTHOR_ID; Wei Ai; NULL AUTHOR_ID; Zunxian Lv; et al 出版日期：2024-07-08 |
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