标题 |
Multiple effects of hydrogen on InGaZnO thin-film transistor and the hydrogenation-resistibility enhancement
氢对InGaZnO薄膜晶体管的多重效应及加氢电阻的增强
相关领域
掺杂剂
薄膜晶体管
阈值电压
兴奋剂
无定形固体
接受者
材料科学
氢
晶体管
电子迁移率
光电子学
纳米技术
化学物理
化学
电气工程
物理
凝聚态物理
结晶学
工程类
有机化学
电压
图层(电子)
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DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Alloys and Compounds 作者:Wengao Pan; Yunping Wang; Yanxin Wang; Zhihe Xia; Fion Sze Yan Yeung; et al 出版日期:2023-06-01 |
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