Ferroelectric-gate thin-film transistors with Bi3.15Nd0.85Ti3O12 gate insulators on LaNiO3-buffered Si substrates

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标题	Ferroelectric-gate thin-film transistors with Bi3.15Nd0.85Ti3O12 gate insulators on LaNiO3-buffered Si substrates LaNiO3缓冲Si衬底上Bi3.15Nd 0.85Ti3O12栅绝缘体铁电栅薄膜晶体管相关领域铁电性材料科学光电子学晶体管薄膜电气工程纳米技术电介质电压工程类
网址	https://doi.org/10.1039/c4ra11952e
DOI	10.1039/c4ra11952e doi
其它	期刊：RSC Advances 作者：Hongjia Song; Tao Ding; Xiangli Zhong; J. B. Wang; Bodong Li; et al 出版日期：2014-01-01
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