ReS2/h‐BN/Graphene Heterostructure Based Multifunctional Devices: Tunneling Diodes, FETs, Logic Gates, and Memory

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标题	ReS2/h‐BN/Graphene Heterostructure Based Multifunctional Devices: Tunneling Diodes, FETs, Logic Gates, and Memory 基于ReS 2/h-BN/石墨烯杂合结构的多功能器件：隧道二极管、场效应晶体管、逻辑门和存储器相关领域材料科学光电子学异质结二极管量子隧道石墨烯晶体管半导体场效应晶体管数码产品纳米技术电压电气工程工程类
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202000925
DOI	10.1002/aelm.202000925 doi
其它	期刊：Advanced Electronic Materials 作者：Bablu Mukherjee; Ryoma Hayakawa; Kenji Watanabe; Takashi Taniguchi; Shu Nakaharai; et al 出版日期：2020-11-30
求助人	雨泽在 2025-03-22 17:42:05 发布自北京，悬赏 10 积分
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