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A 1T1M Programmable Artificial Spiking Neuron via the Integration of FeFET and NbOₓ Mott Memristor
基于FeFET和NbO+Mott忆阻器集成的1T1M可编程人工脉冲神经元
相关领域
记忆电阻器
神经形态工程学
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期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Shujing Zhao; Chuanyu Han; Fengbin Tian; Yubin Yuan; Junshuai Chai; et al 出版日期:2024-05-06 |
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