| 标题 |
Investigation of Low Temperature, Atomic-Layer-Deposited Oxides on 4H-SiC and their Effect on the SiC/SiO2 Interface
4H-SiC上低温原子层沉积氧化物及其对SiC/SiO2界面影响的研究
相关领域
图层（电子）
材料科学
接口（物质）
碳化硅
原子层沉积
冶金
复合材料
润湿
坐滴法
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| 网址 |
AI链接 ncsu.edu |
| DOI |
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| 其它 |
期刊： 作者：Sarah K. Haney 出版日期：2012-10-18 |
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