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标题
Investigation of Low Temperature, Atomic-Layer-Deposited Oxides on 4H-SiC and their Effect on the SiC/SiO2 Interface
4H-SiC上低温原子层沉积氧化物及其对SiC/SiO2界面影响的研究
相关领域
图层(电子) 材料科学 接口(物质) 碳化硅 原子层沉积 冶金 复合材料 润湿 坐滴法
网址
AI链接 ncsu.edu
DOI
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其它 期刊:
作者:Sarah K. Haney
出版日期:2012-10-18
求助人
ZYH 在 2024-11-05 15:19:45 发布自湖北,悬赏 10 积分
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  • 17天前

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