标题 |
An Etch-Stop Barrier Structure for GaN High-Electron-Mobility Transistors
GaN高电子迁移率晶体管的刻蚀停止势垒结构
相关领域
晶体管
电容
光电子学
材料科学
物理
电压
量子力学
电极
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其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Bin Lu; Min Sun; Tomás Palacios 出版日期:2013-03-01 |
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