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 A 9Mb HZO-Based Embedded FeRAM with 1012-Cycle Endurance and 5/7ns Read/Write using ECC-Assisted Data Refresh and Offset-Canceled Sense Amplifier 基于9Mb HZO的嵌入式FeRAM，具有1012周期耐久性和5/7 ns读/写性能，采用ECC辅助数据刷新和偏移抵消读出放大器
相关领域
感测放大器
铁电RAM
计算机科学
数据保留
偏移量（计算机科学）
电气工程
可扩展性
CMOS芯片
放大器
计算机硬件
电容器
光电子学
物理
操作系统
电压
工程类
半导体存储器
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| 其它 |
期刊： 作者：Yang Jiang; Qi Luo; Xiaoyong Xue; Haijun Jiang; Qi-Qiao Wu; et al 出版日期：2023-02-19 |
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