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[高分] High power COD-free operation of 0.98 µm InGaAs/GaAs/InGaP lasers with non-injection regions near the facets
0.98 m InGaAs/GaAs/InGaP激光器面附近无注入区的高功率无COD工作
相关领域
材料科学
光电子学
激光器
砷化镓
功率(物理)
山脊
半导体激光器理论
光学
半导体
物理
地质学
量子力学
古生物学
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期刊:Electronics Letters 作者:M. Sagawa; K. Hiramoto; K. Uomi; K. Shinoda; T. Toyonaka 出版日期:2002-07-26 |
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