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 Control of photocurrent and multi-state memory by polar order engineering in 2H-stacked α-In2Se3 ferroelectric 极性有序工程控制2H叠层α-In2Se3铁电材料的光电流和多态存储
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平面的
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物理
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分子
天文
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期刊：Science China. Materials 作者：Biao Lv; Wei Xue; Zhi Yan; Ruilong Yang; Hao Wu; et al 出版日期：2022-01-21 |
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