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 Design Trade-offs between Series-Peaking Inductor and High $f_T$ SiGe HBTs in Transimpedance Amplifiers 跨阻放大器中串联峰值电感和高$f_T$SiGe HBT的设计权衡
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期刊： 作者：Prateek Kumar Sharma; Vaibhav Ruparelia; Saurabh Sirohi; Uppili S. Raghunathan; Venkata Vanukuru; et al 出版日期：2023-10-16 |
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