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标题
Room-temperature-processed synaptic a-IGZO TFT with high-k HfLaO gate dielectric as neuromodulator
室温处理的突触a-IGZR薄膜晶体管，具有高k OfLaO栅电质作为神经调节器
相关领域
薄膜晶体管 栅极电介质 材料科学 光电子学 电介质 阈值电压 晶体管 高-κ电介质 电压 电气工程 纳米技术 工程类 图层（电子）
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/acf784
DOI
10.1088/1361-6641/acf784 doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：An Huang; Yuan Xiao; Jia Cheng Li; De Dai; Hui Xia Yang; et al
出版日期：2023-09-07
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英俊谷秋 在 2025-03-20 16:59:52 发布自江苏，悬赏 10 积分
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