| 标题 |
 The Optimal Electronic Structure for High-Mobility 2D Semiconductors: Exceptionally High Hole Mobility in 2D Antimony 高迁移率二维半导体的最佳电子结构：二维锑中异常高的空穴迁移率
相关领域
电子迁移率
半导体
锑
化学
单层
带隙
凝聚态物理
电子结构
直接和间接带隙
散射
电子能带结构
载流子
电子
光电子学
化学物理
计算化学
材料科学
物理
光学
量子力学
无机化学
生物化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊：Journal of the American Chemical Society 作者：Long Cheng; Chenmu Zhang; Yuanyue Liu 出版日期：2019-09-25 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
科研小民工
苏卿
SYLH
kingwill
迟大猫
劲秉
请叫我风吹麦浪
暴躁的夏烟
pluto
36456657
VDC
缓慢如南
龙玄泽
一一
怕黑荠
sutharsons
坚定的铃铛
坚强的广山
大脑袋
爱静静
皖公网安备34019202002308
