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 An 800-MHz Mixed-<inline-formula> <tex-math notation="LaTeX">$V_{\text{T}}$ </tex-math> </inline-formula> 4T IFGC Embedded DRAM in 28-nm CMOS Bulk Process for Approximate Storage Applications 采用28纳米CMOS批量工艺的800 MHz混合-
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期刊：IEEE Journal of Solid-State Circuits 作者：Robert Giterman; Alexander Fish; Narkis Geuli; Elad Mentovich; Andreas Burg; et al 出版日期：2018-05-08 |
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