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Dependence of Temperature and Back-Gate Bias on Single-Event Upset Induced by Heavy Ion in 0.2-μm DSOI CMOS Technology
0.2 μ m DSOI CMOS工艺中温度和背栅偏压对重离子诱导单事件扰动的依赖性
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期刊:IEEE Transactions on Nuclear Science 作者:Yuchong Wang; Fanyu Liu; Bo Li; Binhong Li; Yang Huang; et al 出版日期:2021-07-05 |
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