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  Degradation Analysis of Planar, Symmetrical and Asymmetrical Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Short Circuit Impulses 重复短路脉冲下平面、对称和非对称沟槽SiC MOSFET的退化分析
相关领域
平面的
MOSFET
降级（电信）
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材料科学
沟槽
拓扑（电路）
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光电子学
电气工程
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电压
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晶体管
功率（物理）
计算机图形学（图像）
图层（电子）
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