Selective Etching of SiO2 by Radical Recombination through NF3/H2 Pulsed RF Plasma

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标题	Selective Etching of SiO2 by Radical Recombination through NF3/H2 Pulsed RF Plasma NF3/H2脉冲射频等离子体自由基复合选择性刻蚀SiO2 相关领域蚀刻（微加工）等离子体材料科学重组等离子体刻蚀光电子学分析化学（期刊）化学纳米技术物理环境化学生物化学图层（电子）量子力学基因
网址	https://doi.org/10.1021/acsaelm.4c01828
DOI	10.1021/acsaelm.4c01828 doi
其它	期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Dae Whan Kim; Hong Seong Gil; Wonse Park; Ji Yeon Lee; Doo San Kim; et al 出版日期：2024-12-20
求助人	鲤鱼紫易在 2025-01-03 11:27:38 发布自湖南，悬赏 10 积分
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