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 Interface roughness effects and relaxation dynamics of an amorphous semiconductor oxide-based analog resistance switching memory 非晶半导体氧化物基模拟电阻开关存储器的界面粗糙度效应和弛豫动力学
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期刊：Nanoscale 作者：G. R. Haripriya; Hee Yeon Noh; Chan Lee; June-Seo Kim; Myoung-Jae Lee; et al 出版日期：2023-01-01 |
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