All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process

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标题	All-sputtered, flexible, bottom-gate IGZO/Al2O3 bi-layer thin film transistors on PEN fabricated by a fully room temperature process 通过全室温工艺在PEN上制造的全溅涂、柔性、底栅IGZR/Al 2 O3双层薄膜晶体管
网址	https://pubs.rsc.org/en/content/articlelanding/2017/tc/c7tc0...
DOI	暂未提供，该求助的时间将会延长，查看原因？
求助人	咖啡豆在 2024-09-09 20:30:45 发布自湖南，悬赏 10 积分
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