标题 |
Low threshold lasing of GaN-based vertical-cavity surface-emitting lasers with thin InGaN/GaN quantum well active region
薄InGaN/GaN量子阱有源区GaN基垂直腔面发射激光器的低阈值激光发射
相关领域
激光阈值
光电子学
材料科学
量子阱
激光器
宽禁带半导体
光学
物理
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期刊:Optics & Laser Technology 作者:Rongbin Xu; Keisei Shibata; Hidefumi Akiyama; Jiazhe Zhang; Leiying Ying; et al 出版日期:2024-11-14 |
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