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 Influence of Reduction in Effective Channel Length on Device Operations of In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors With Variations in Channel Compositions 沟道成分变化下有效沟道长度减小对In-Ga-Zn-O薄膜晶体管器件工作的影响
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Soo Hyun Bae; Hyun-Joo Ryoo; Jong-Heon Yang; Yong Hae Kim; Chi Sun Hwang; et al 出版日期：2021-12-01 |
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