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标题
Simulation Study of Gate-all-around Nanosheet Devices Based on SOI Structure
基于SOI结构的全栅极纳米片器件的模拟研究
相关领域
跨导 材料科学 纳米片 绝缘体上的硅 可控性 光电子学 逻辑门 频道（广播） 电子工程 降级（电信） MOSFET 电气工程 晶体管 硅 纳米技术 工程类 电压 数学 应用数学
网址
http://dx.doi.org/10.1109/cstic58779.2023.10219294
DOI
10.1109/cstic58779.2023.10219294 doi
求助人
李沐唅 在 2024-12-25 17:04:01 发布自贵州，悬赏 10 积分
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