标题 |
Enhanced memristor performance via coupling effect of oxygen vacancy and ferroelectric polarization
氧空位与铁电极化耦合效应增强忆阻器性能
相关领域
铁电性
材料科学
极化(电化学)
异质结
兴奋剂
记忆电阻器
光电子学
薄膜
空间电荷
非易失性存储器
纳米技术
电子工程
电介质
电子
化学
物理
物理化学
工程类
量子力学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Journal of Materials Science & Technology 作者:Zhi Yun Yue; Z.D. Zhang; Zhan Jie Wang 出版日期:2024-02-01 |
求助人 | |
下载 | 求助已完成,仅限求助人下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|