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 A novel model for through-silicon via (TSV) filling process simulation considering three additives and current density effect 考虑三种添加剂和电流密度效应的硅通孔（TSV）填充过程模拟新模型
相关领域
通过硅通孔
材料科学
过程（计算）
硅
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期刊：Journal of Micromechanics and Microengineering 作者：Fuliang Wang; Zhipeng Zhao; Feng Wang; Yan Wang; Nantian Nie 出版日期：2017-11-16 |
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