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Porosity in low dielectric constant SiOCH films depth profiled by positron annihilation spectroscopy
低介电常数SiOCH薄膜孔隙率的正电子湮没谱深度分析
相关领域
正电子湮没谱学
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期刊:Journal of applied physics 作者:R. S. Brusa; M. Spagolla; Grzegorz P. Karwasz; Antonio Zecca; G. Ottaviani; et al 出版日期:2004-02-19 |
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