Temperature dependence of Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy on sapphire and β -Ga2O3 substrates

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标题	Temperature dependence of Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy on sapphire and β -Ga2O3 substrates 蓝宝石和β-Ga2O3衬底上卤化物气相外延生长Ga2O3的温度依赖性相关领域蓝宝石外延基质（水族馆）晶体生长材料科学亚稳态增长率结晶学 Crystal（编程语言）相（物质）分析化学（期刊）化学图层（电子）光学纳米技术激光器海洋学物理地质学有机化学程序设计语言色谱法计算机科学数学几何学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0031267
DOI	10.1063/5.0031267 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Ken Goto; Hidetoshi Nakahata; Hisashi Murakami; Yoshinao Kumagai 出版日期：2020-11-30
求助人	小舒在 2024-08-09 20:52:02 发布自河南，悬赏 10 积分
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