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  UV Total Dose Nonvolatile Sensor Using Silicon–Oxide–Nitride–Oxide–Silicon Capacitor with Oxy-nitride as Charge-trapping Layer 以氮氧化物为电荷俘获层的氧化硅-氮氧化物-硅电容器紫外总剂量非易失性传感器
相关领域
俘获
氮化物
材料科学
光电子学
氮化硅
图层（电子）
氧化物
电容器
氧化硅
二氧化硅
硅
机车
纳米技术
电气工程
电压
复合材料
冶金
工程类
生物
生态学
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| 其它 |
期刊：Sensors and Materials 作者：Fuh-Cheng Jong; Wen-Ching Hsieh; Hao-Tien Daniel Lee; Shich-Chuan Wu 出版日期：2018-08-30 |
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